Disco duro interno solido ssd samsung 990 evo plus 4tb pcie 4.0x4 5.0x2 nvme 2.0
- Fabricante: Samsung P/N: MZ-V9S4T0BW EAN: 8806095575667 Código: 38866
323,05 €
(Impuesto incl.) Disco duro interno solido ssd samsung
Samsung 990 evo plus ssd 4tb pcie 4.0x 4 nvme 2.0
marca samsung
modelo mz - v9s4t0bw
capacidad - 4tb
interfaz - pcie gen 4.0 x4 - 5.0 x2 nvme 2.0
tamaño - m.2 (2280)
rendimiento - lectura secuencial: hasta 7250 mb - s
- escritura secuencial: hasta 6300 mb - s
- lectura aleatoria (4kb - qd32): hasta 1.050.000 iops
- escritura aleatoria (4kb - qd32): hasta 1.400.000 iops
características - memoria caché: hmb (búfer de memoria del host)
- soporte trim
- soporte s.m.a.r.t
- gc(garbage collectión): algoritmo de recolección automática de basura
- soporte de cifrado
cifrado aes de 256 bits (clase 0) tcg - opal
ieee1667 (unidad cifrada)
- soporte wwn
- soporte del modo de suspensión del dispositivo
alimentación
- consumo medio de energía (nivel de sistema):
promedio: lectura 5 -5 w - escritura 4 -8 w
- consumo de energía (inactivo): típico 60 mw
- consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mw típico
- voltaje permitido: 3 -3 v 5 % tensión permitida
- confiabilidad (mtbf): fiabilidad de 1 -5 millones de horas (mtbf)
- temperatura de funciónamiento: 0 - 70 ºc temperatura de funciónamiento
- choque: 1.500 g y 0 -5 ms (medio seno)
dimensiónes y peso
- 80 -15 x 22 -15 x 2 -38mm
- max. 9 g
marca samsung
modelo mz - v9s4t0bw
capacidad - 4tb
interfaz - pcie gen 4.0 x4 - 5.0 x2 nvme 2.0
tamaño - m.2 (2280)
rendimiento - lectura secuencial: hasta 7250 mb - s
- escritura secuencial: hasta 6300 mb - s
- lectura aleatoria (4kb - qd32): hasta 1.050.000 iops
- escritura aleatoria (4kb - qd32): hasta 1.400.000 iops
características - memoria caché: hmb (búfer de memoria del host)
- soporte trim
- soporte s.m.a.r.t
- gc(garbage collectión): algoritmo de recolección automática de basura
- soporte de cifrado
cifrado aes de 256 bits (clase 0) tcg - opal
ieee1667 (unidad cifrada)
- soporte wwn
- soporte del modo de suspensión del dispositivo
alimentación
- consumo medio de energía (nivel de sistema):
promedio: lectura 5 -5 w - escritura 4 -8 w
- consumo de energía (inactivo): típico 60 mw
- consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mw típico
- voltaje permitido: 3 -3 v 5 % tensión permitida
- confiabilidad (mtbf): fiabilidad de 1 -5 millones de horas (mtbf)
- temperatura de funciónamiento: 0 - 70 ºc temperatura de funciónamiento
- choque: 1.500 g y 0 -5 ms (medio seno)
dimensiónes y peso
- 80 -15 x 22 -15 x 2 -38mm
- max. 9 g
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Nota media
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Negativos
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