Disco duro interno solido ssd samsung mz - ql23t800 - 3.84tb - 2.5pulgadas - pci express 4.0
- Fabricante: Samsung P/N: MZ-QL23T800 EAN: 8806094267143 Código: 38694
724,45 €
(Impuesto incl.) Disco duro interno solido ssd samsung
Disco duro interno solido ssd samsung mz - ql23t800 - 3.84tb - 2.5pulgadas - pci express 4.0
samsung pm9a3. sdd - capacidad: 3 -84 tb - factor de forma de disco ssd: 2.5pulgadas - velocidad de lectura: 6900 mb - s - velocidad de escritura: 4100 mb - s - componente para: pc
características
sdd - capacidad3 -84 tb
factor de forma de disco ssd2.5pulgadas
interfazpci express 4.0
nvmesi
versión nvme1.4
tipo de memoriav - nand tlc
componente parapc
encriptación de hardwaresi
algoritmos de seguridad soportados256 - bit aes
velocidad de lectura6900 mb - s
velocidad de escritura4100 mb - s
lectura aleatoria (4kb)1000000 iops
escritura aleatoria (4kb)180000 iops
velocidad de lectura secuencial (as ssd)6900 mb - s
velocidad de escritura secuencial (as ssd)4100 mb - s
tipo de controladorsamsung elpis
soporte trimsi
protección de datos integralsi
tiempo medio entre fallos2000000 h
control de energía
voltaje de operación12 v
consumo de energía (lectura)11 w
consumo de energía (escritura)13 -5 w
consumo de energía (max)3 -5 w
peso y dimensiónes
ancho110 -2 mm
profundidad3 -8 mm
altura22 mm
peso90 g
condiciónes ambientales
intervalo de temperatura operativa0 - 70 c
datos logísticos
código de sistema de armomización (sa)84717070
samsung pm9a3. sdd - capacidad: 3 -84 tb - factor de forma de disco ssd: 2.5pulgadas - velocidad de lectura: 6900 mb - s - velocidad de escritura: 4100 mb - s - componente para: pc
características
sdd - capacidad3 -84 tb
factor de forma de disco ssd2.5pulgadas
interfazpci express 4.0
nvmesi
versión nvme1.4
tipo de memoriav - nand tlc
componente parapc
encriptación de hardwaresi
algoritmos de seguridad soportados256 - bit aes
velocidad de lectura6900 mb - s
velocidad de escritura4100 mb - s
lectura aleatoria (4kb)1000000 iops
escritura aleatoria (4kb)180000 iops
velocidad de lectura secuencial (as ssd)6900 mb - s
velocidad de escritura secuencial (as ssd)4100 mb - s
tipo de controladorsamsung elpis
soporte trimsi
protección de datos integralsi
tiempo medio entre fallos2000000 h
control de energía
voltaje de operación12 v
consumo de energía (lectura)11 w
consumo de energía (escritura)13 -5 w
consumo de energía (max)3 -5 w
peso y dimensiónes
ancho110 -2 mm
profundidad3 -8 mm
altura22 mm
peso90 g
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intervalo de temperatura operativa0 - 70 c
datos logísticos
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