Memoria ddr3 4gb kingston - sodimm - 1600mhz - pc3 12800 - cl11
- Fabricante: Kingston P/N: EAN: 740617207781 Código: 32933
28,53 €
(Impuesto incl.) Memoria ddr3 4gb kingston sodimm 1600mhz
| Memoria | |
| Memoria interna: | 4 GB |
| Tipo de memoria interna: | DDR3 |
| Velocidad de memoria del reloj: | 1600 MHz |
| Componente para: | Portátil |
| Forma de factor de memoria: | 204-pin SO-DIMM |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño): | 1 x 4 GB |
| Latencia CAS: | 11 |
| Voltaje de memoria: | 1.5 V |
| ECC: | No |
| Registrado: | No |
| Ancho de datos: | 64 bit |
| Placa de plomo: | Oro |
| Configuración de módulos: | 512M X 64 |
| Tiempo de ciclo de fila: | 48,125 ns |
| Tiempo de actualización de ciclo de fila: | 260 ns |
| Tiempo activo en fila: | 35 ns |
| Memoria sin buffer: | Si |
| Clasificación de memoria: | 1 |
| Condiciones ambientales | |
| Intervalo de temperatura operativa: | 0 - 85 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje: | -55 - 100 °C |
| Peso y dimensiones | |
| Ancho: | 67,6 mm |
| Altura: | 30 mm |
| Tipo de embalaje: | SO-DIMM |
| Otras características | |
| Organización de los chips: | X8 |
| Velocidad del reloj de bus: | 1600 MHz |
| Indicación de error: | No |
| Montaje en rack: | 204-pin SODIMM |
| Disposición de memoria: | 1 x 4096 MB |
| Memoria interna: | 4096 MB |
| Periodo de garantía: | Lifetime |
Descripción
este documento describe el módulo de memoria de valueram 512m x
64 - bit (4gb)ddr3 - 1600 cl11 sdram (synchronous dram) 1rx8 - basado en
ocho componentes fbga de 512m x 8 - bit. el spd está programado para la
latencia estándar jedec ddr3 - 1600timing de 11 - 11 - 11 a 1.5v. este
sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro. las
especificaciónes eléctricas y mecánicas son las siguientes:
características
norma jedec 1.5v (1.425v ~1.575v) fuente de alimentación
vddq = 1.5v (1.425v ~ 1.575v)
800mhz fck para 1600mb - seg - pin
8 banco interno independiente
latencia cas programable: 11 - 10 - 9 - 8 - 7 - 6
latencia de aditivos programable: 0 - cl - 2 - o cl - 1 reloj
precarga de 8 bits
longitud de la ráfaga: 8 (intercalación sin límite - dirección de inicio
secuencial pulgadas000pulgadas solamente) - 4 con tccd = 4 que no permite una lectura
o escritura sin fisuras[ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs].
estroboscopio diferencial bidirecciónal de datos
calibración interna: autocalibración interna a través de zqpin (rzq : 240
ohm ± 1%)
terminación en el troquel usando un pin odt
período medio de actualización 7.8us a menos que tcase 85°c -3.9us a
85°c < tcase < 95°c
reinicio asíncrono
pcb : altura 1.180pulgadas (30.00mm) - componente de doble cara
especificaciones
cl(idd)11 ciclos
duración del ciclo de filas (trcmin)48.125ns (min.)
actualizar a activo - actualizar 260ns (min.)
tiempo de comando (trfcmin)
fila tiempo activo (trasmin) 35ns (min.)
potencia máxima de funciónamiento 2.100 w*
clasificación ul 94 v - 0
temperatura de funciónamiento 0o c a 85o c
temperatura de almacenamiento - 55o c a +100o c
*la potencia variará en función de la sdram utilizada.
este documento describe el módulo de memoria de valueram 512m x
64 - bit (4gb)ddr3 - 1600 cl11 sdram (synchronous dram) 1rx8 - basado en
ocho componentes fbga de 512m x 8 - bit. el spd está programado para la
latencia estándar jedec ddr3 - 1600timing de 11 - 11 - 11 a 1.5v. este
sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro. las
especificaciónes eléctricas y mecánicas son las siguientes:
características
norma jedec 1.5v (1.425v ~1.575v) fuente de alimentación
vddq = 1.5v (1.425v ~ 1.575v)
800mhz fck para 1600mb - seg - pin
8 banco interno independiente
latencia cas programable: 11 - 10 - 9 - 8 - 7 - 6
latencia de aditivos programable: 0 - cl - 2 - o cl - 1 reloj
precarga de 8 bits
longitud de la ráfaga: 8 (intercalación sin límite - dirección de inicio
secuencial pulgadas000pulgadas solamente) - 4 con tccd = 4 que no permite una lectura
o escritura sin fisuras[ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs].
estroboscopio diferencial bidirecciónal de datos
calibración interna: autocalibración interna a través de zqpin (rzq : 240
ohm ± 1%)
terminación en el troquel usando un pin odt
período medio de actualización 7.8us a menos que tcase 85°c -3.9us a
85°c < tcase < 95°c
reinicio asíncrono
pcb : altura 1.180pulgadas (30.00mm) - componente de doble cara
especificaciones
cl(idd)11 ciclos
duración del ciclo de filas (trcmin)48.125ns (min.)
actualizar a activo - actualizar 260ns (min.)
tiempo de comando (trfcmin)
fila tiempo activo (trasmin) 35ns (min.)
potencia máxima de funciónamiento 2.100 w*
clasificación ul 94 v - 0
temperatura de funciónamiento 0o c a 85o c
temperatura de almacenamiento - 55o c a +100o c
*la potencia variará en función de la sdram utilizada.
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